在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子+和3+,经电压为的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所

在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子+和3+,经电压为的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所

在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子+和3+,经电压为的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所
更新:2015-01-12 22:16:01    时长:05:35    播放量:325